Primo AD-RIE ® 是中微第二代電介質刻蝕產品。 基於已被認可的Primo D-RIE ® 刻蝕設備，Primo AD-RIE應用了具有自主知識產權的新設計，配備了可切換雙低頻射頻源，優化了上電極氣流分佈以及下電極溫控系統。 為了優化生產效率，Primo AD-RIE系統同樣可以靈活地裝置多達三個雙反應臺反應腔（即六個反應臺）。 Primo AD-RIE具備能够滿足新一代晶片器件製造需求的先進效能，現時已被廣泛應用於40到14納米後段制程。
此外，中微基於Primo AD-RIE開發了子系列產品Primo AD-RIE-e和Primo AD-RIE-cr。 Primo AD-RIE-e配備了自主研發的四區動態靜電吸盤，每一制程步驟可獨立進行控溫，以達到更高的刻蝕均勻度和刻蝕選擇比，現時已應用於5納米前段和中段的掩膜層刻蝕的開發及量產。 Primo AD-RIE-cr配備了擁有自主知識產權塗層科技的抗腐蝕反應腔，可應對電介質資料、金屬及金屬氧化物資料複雜結構的刻蝕要求。
為40到7納米晶片製造提供創新的刻蝕解決方案
雙反應臺腔體設計具有更高的產出效率
雙低頻功率切換系統，用於制程分步驟優化
脈衝射頻系統選項
多區氣體分配調節系統
靜電吸盤雙區冷卻裝置
低金屬污染工藝組件選項
每一步驟可獨立進行控溫的四區動態靜電吸盤（Primo AD-RIE-e）
擁有自主知識產權塗層科技的抗腐蝕反應腔（Primo AD-RIE-cr）
一體綜合的除膠能力及表面電荷减除能力（Primo iDEA ® 系統）
雙低頻率分步驟切換系統，以適用於更廣的制程範圍（特別是Trench/Via All-in-one制程）
優异的工藝可調性和穩定性，以滿足先進工藝標準
高生產效率，低生產成本（CoO）
擴展機型Primo AD-RIE-e，Primo AD-RIE-cr和Primo iDEA ®， 可應用於不同特
